FDC5612
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Anschlüsse, Verbindungen
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi FDC5612
| Artikelnummer: | FDC5612 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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-
onsemi FDC5612 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDC5612.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 10V Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Ta) Grundproduktnummer FDC5612 FDC5612 Einzelheiten PDF [English] FDC5612 PDF - EN.pdf -
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